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    據國家知識產權局公告，華為技術有限公司申請一項名為“一種電容結構、電容陣列、存儲器及電子設備“，公開號CN117766593A，申請日期為2022年9月。

    專利摘要顯示，本申請提供了一種電容結構、電容陣列、存儲器及電子設備，電容結構包括至少一個第一極和第二極連接的場效應晶體管，該場效應晶體管包括疊層結構、溝道層、柵氧化層和柵極，疊層結構包括依次層疊設置的第一極、介質層和第二極，且疊層結構上開設有溝槽，溝槽的開口位于第二極的上表面，溝槽貫穿第二極和介質層。溝道層覆蓋溝槽的側壁和底部，柵氧化層覆蓋溝道層，柵極填充于柵氧化層所限定的區域且從溝槽中溢出。采用上述場效應晶體管構成電容結構可以減小面積開銷，可以增加電容陣列的電路密度，并采用電容陣列作為冗余存儲陣列，可以增加存儲器的存儲密度。