據國家知識產權局公告,共達電聲股份有限公司取得一項名為“MEMS電容傳感器及其制備方法、電子設備“,授權公告號CN113678472B,申請日期為2019年5月。
專利摘要顯示,一種MEMS電容傳感器及其制備方法,該傳感器包括第一電極結構(200),該第一電極結構(200)包括位于中間區域的第一導電區域(230a)以及所述第一導電區域周圍的絕緣區域(240),第一導電區域(230a)和絕緣區域(240)為一整體結構,且其中至少一個通過摻雜方式形成。上述MEMS電容式傳感器,通過在第一電極結構中設置在中間區域的第一導電區域導電,第一導電區域周圍的絕緣區域絕緣,降低了MEMS電容式傳感器的寄生電容,并且無需設置多層絕緣薄膜,避免了殘余應力控制復雜、多層薄膜剝離和彎曲的問題。